Samsungning birinchi 8 dyuymli GaN gofret ishlab chiqarish liniyasi ikkinchi chorakdayoq ommaviy ishlab chiqarishni boshlashi kutilmoqda

Janubiy Koreyaning The Elec nashri xabariga ko'ra, Samsungning birinchi 8 dyuymli galiy nitridi (GaN) gofret ishlab chiqarish liniyasi 2026 yilning ikkinchi choragida ommaviy ishlab chiqarishga kirishi kutilmoqda, dastlabki daromad esa 100 milliard vondan past bo'lishi kutilmoqda.

Hisobotda Samsung chip dizaynidan tashqari hamma narsani qamrab oluvchi keng qamrovli GaN yechim ekotizimini yaratganligi va GaN epitaksial gofretlarini mustaqil ravishda ishlab chiqarish qobiliyatiga ega ekanligi qayd etilgan.

Bundan tashqari, Samsung shu yil ichida kremniy karbid (SiC) quvvatli yarimo'tkazgich quyish liniyasini ishga tushirishni rejalashtirmoqda.Kompaniya turli kuchlanish diapazonlarida GaN texnologiyasini to'ldirishi mumkin bo'lgan dizaynni o'z ichiga olgan SiC segmentida yakuniy imkoniyatlarga ega.

Oldingi hisobotlarda, shuningdek, Samsung kremniy-galliy va galliy nitridili gofretlarni qayta ishlashni qoʻllab-quvvatlash uchun ilgʻor texnologik uskunalarga, jumladan Aixtronning MOCVD tizimlariga taxminan 100-200 milliard von sarmoya kiritganligi aniqlangan.