Welcome,{$name}!

/ Chiqish
O'zbek
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolski繁体中文SuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Elektron pochta:Info@YIC-Electronics.com
Bosh sahifa > Yangiliklar > SK Hynix 300+ NAND qatlamlarida ishlab chiqarishdagi qiyinchiliklarni bartaraf etish uchun AIP jarayonini ishlab chiqadi

SK Hynix 300+ NAND qatlamlarida ishlab chiqarishdagi qiyinchiliklarni bartaraf etish uchun AIP jarayonini ishlab chiqadi

SK Hynix

Janubiy Koreyaning zdnet.co.kr nashri xabariga ko‘ra, Janubiy Koreyaning yirik xotira chiplari ishlab chiqaruvchi SK Hynix kompaniyasi AIP (All-In-Plug) deb nomlangan yangi avlod texnologik texnologiyasini ishlab chiqmoqda.Maqsad 300 dan ortiq qatlamli yuqori qatlamli NAND Flash-ga erishish va shu bilan birga ishlab chiqarish xarajatlarini sezilarli darajada kamaytirishdir.

Hozirgi NAND Flash ishlab chiqarish bir nechta muhim eting bosqichlarini talab qiladi.Biroq, stacking qatlamlari 300 dan oshib ketganligi sababli, ishlab chiqarish xarajatlari va jarayonning murakkabligi keskin oshadi.AIP texnologiyasi NAND Flash ishlab chiqarishdagi asosiy qadam bo'lgan High Aspect Ratio Contact (HARC) qirqish jarayoniga qaratilgan.Bir nechta jarayon bosqichlarini birlashtirish va ortiqcha bosqichlarni bartaraf etish orqali u ishlab chiqarish xarajatlarini kamaytirish va hosil samaradorligini oshirish bilan birga jarayonning hayotiyligini saqlashga qaratilgan.

Agar AIP texnologiyasi ommaviy ishlab chiqarishga muvaffaqiyatli joriy etilsa, u V11 kabi keyingi avlod NAND Flash-dan boshlab, yuqori qatlamli qatlamlarga ega xotira chiplari uchun yanada tejamkor ishlab chiqarish poydevorini yaratishdan boshlab, qirqish bosqichlari sonini sezilarli darajada kamaytirishi kutilmoqda.

SK Hynix vitse-prezidenti Li Sunghoon SEMICON Korea 2026 koʻrgazmasida oʻzining asosiy nutqida taʼkidlaganidek, yarimoʻtkazgich jarayonlarining murakkabligi oshib borishda davom etar ekan, eski texnologiyalarga tayanish kelajakdagi oʻsishni davom ettira olmaydi.Shunday qilib, SK Hynix keyingi avlod DRAM va NAND uchun asosiy texnologiyalarni bir vaqtning o'zida baholashda prognoz qilinadigan yangi avlod texnologik platformasini yaratmoqda.

Li Sunghoonning ta'kidlashicha, yuqori qatlamli NAND Flash narxining oshishiga turtki bo'lgan asosiy omillardan biri bu eting jarayoni bosqichlarining ko'tarilishidir.Bir nechta bosqichlarni bitta jarayonga birlashtirish endi kompaniya uchun muhim texnik muammodir.