Apple-ning gibrid saqlash tizimiga yangi patenti fosh etildi!

digitimes Tom's Hardware kompaniyasining hisobotidan iqtibos keltirdi va DRAMning doimiy rivojlanishi bilan DRAM dizayni turli xil dastur maqsadlari tufayli tobora murakkablashib borayotganligini ta'kidladi. Saqlash zichligini / quvvatini yaxshilashga yo'naltirilgan dizaynlar o'tkazuvchanlikni kamaytiradi (yoki hech bo'lmaganda ko'paytirmaydi), tarmoqli kengligini oshiradigan dizaynlar esa quvvatni va energiya samaradorligini kamaytiradi (yoki hech bo'lmaganda ko'paytirmaydi). SoC dizaynerlari uchun mikrosxemalarni o'tkazish qobiliyati, sig'imi, quvvat sarfi va narxi o'rtasidagi eng yaxshi muvozanatni qanday qo'lga kiritish muhim muammoga aylandi.

Apple-ning yangi patentlangan texnologiyasiga asoslangan gibrid saqlash tizimi kamida ikkita DRAM saqlash turini o'z ichiga olishi mumkin (masalan, biri yuqori zichlikli DRAM, ikkinchisi past zichlik yoki kam kechikish va yuqori o'tkazuvchanlik DRAM). Bu energiya tejamkor ishlashga erishish va mobil qurilmalar va quvvat sarfini samaradorlik bilan quvvat nisbatlarini asosiy deb hisoblaydigan boshqa qurilmalar uchun saqlash hajmini oshirishga yordam beradi.

Xabar qilinishicha, patentda bir nechta o'zaro bog'liqlik texnologiyalaridan foydalanilgan, masalan, silikon orqali (TSV) yuqori tezlikda ishlaydigan DRAM va asosiy DRAM keshlarini birlashtirgan bir nechta gibrid saqlash tizimlarini amalga oshirish. Bundan tashqari, patentga talabnoma kompyuter protsessorini emas, balki SoCni qamrab oladi.

Apple kompaniyasi yuqorida ko'rsatilgan patent talabnomalarini Evropa Patent idorasiga (EPO), shuningdek AQSh, Xitoy va Yaponiyadagi patentlarni tartibga soluvchi agentliklarga topshirdi.